控制型类单晶或全单晶铸锭:需引入籽晶,经过控制籽晶熔化、界面形状(平)、温度梯度(纵向)、位错密度(成核方向,温梯)、浓度分布等。实现全单晶或类单晶生产。大体可采用现有铸锭炉改型,或重新设计修正型Bridgman或修正型VGF(VerticalGradientFreeze-VGF)方法。这些技术已成功用于光学晶体生长与半导体晶体生长。
由60块多晶硅太阳能电池组成的太阳能组件的电力输出达283瓦。这项纪录由德国Fraunhofer太阳能系统研究所(FraunhoferISE)证实。据称是目前具有竞争性价格的准单晶硅组件中功率最高的组件。此前,Q-Cells单晶硅组件电力输出创造了287W的记录;大规模多晶硅光伏电池的效率也达到了19.5%。
单晶率是一个重要指标,界面形状(平)、温度梯度(纵向)、位错密度(成核方向,温梯)、浓度分布都重要。类单晶铸锭可分为三个阶段:第一阶段平均效率17.2-3%(一类)最高达18.2%;第二阶段平均效率17.7%(一类)最高达18.7%,;第三阶段平均效率18.2%(一类)最高达19%。再利用高效电池技术,效率可达20%第一阶段,工艺像多晶工艺,用大纵向温度梯度(TC2温度低),较易控制化料保籽晶,强调单晶率。但横向和纵向应力大,导致位错密度大,顶部可见开花现象(从亚晶界变为晶界)。第二和三阶段,工艺像单晶工艺。界面较平,工艺追求低温度梯度,开口慢慢变大,TC1温度较低。保籽晶阶段和生长后期两阶段必须控制。保籽晶阶段关系到生长的基础,需低温度梯度,防止滑移线出现,关键减生长缺陷;生长后期,硅锭大部已形成,需降温度梯度,减少位错及亚晶界生长。关键减应力位错。冷却退火过程需改进,位错主要在生长过程出现,退火可能可以不做。
类单晶拼缝处变多晶的原因是位错密度,这个观点与BP的SiC颗粒原理是不同的。这样需要减小剪应力。
1、需要切好和排好籽晶,临近籽晶需要同方向,方向角差越大,应力越大,越容易出多晶。
2、需要降热应力,这样需要界面平,同时能降纵向温度梯度。即降TC1,升TC2。目前的工艺TC1温度高,TC2温度低。
特别是后段。可以在最后段开始升TC2,降TC1完成长晶。之后接上冷却段。
1、电池成本已降到组件成本的一半,提升效率可降组件,安装,服务的成本。成本已让位给效率。
2、单晶电池技术先进,较容易获得高效电池(如采用选择性发射等,效率可达18.5%以上,如中美晶的Uwafer)
(1)籽晶(回收);(2)过程(时间);(3)可靠性/重复性;(4)效率分布;(5)边角片处理(G5:64%的片子是边角片;G6:20/36)
多晶电池的最严重的问题是高位错密度,同时相对于单晶电池工艺,电池技术比较落后。先进的电池技术如选择性发射和dielectricrearpassivation无法用于多晶电池。
一些厂家追求单晶率及低杂质,忽略了最根本的生长缺陷和位错密度,类单晶成功的重要技术问题包括:
5、底部红区–需用低TC2(生长和应力缺陷大),不用闭笼冷却(等温差冷却)
目前很多公司用G5多晶炉改造进行类单晶实验。一类片可能性只有36%,而这些片有料的问题,红区问题及亚晶界等问题,平均效率也不高(如顶部效率衰减)。这样可实现高效的片子只有25-34%。而70%的剩余片子有不同的问题,用目前电池线处理的话,效率应该低于高效多晶片。这样总平均效率可能不如高效多晶片。
类单晶硅片可在原多晶炉下制备(改变工艺),但效率提升和规模化生产技术门槛其实较高,很多公司能生产类单晶片,但并没掌握类单晶技术。(作者张辉)
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昱晶能源准单晶、铜电极技术与绿阳光电CIGS研发技术计划获得台湾有关部门补贴
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12月10日,清电硅业有限公司年产60GW单晶硅拉棒切片一期10GW项目联动调试仪式在哈密高新技术产业开发区南部循环经济产业园举行。据了解,清电硅业有限公司年产60GW单晶硅拉棒切片一期10GW项目总投资40亿元,2022年开工建设,2023年12月全面建成投产。该项目建成达产后,预计可实现年均出售的收益76亿元,
12月16日,华民股份发布了重要的公告称,2023年,公司已陆续完成团队组建、项目建设、设备调试等工作,并与多家战略客户签署1至3年期的长期销售合同,相关合同履行进展情况公告如下:相关情况说明1、华晟新材料合同履行良好,预计截至合同履行期满,华晟新材料合同实际采购量约为合同约定总采购量的95%;2、因
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